HY3506B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HY3506B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HY3506B Datasheet (PDF)
hy3506p hy3506b.pdf
HY3506P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and
hy3503c2.pdf
HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET
hy3503c2.pdf
HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STS65R280DS2TR | FQB50N06 | FQB2N50TM | FQAF47P06
History: STS65R280DS2TR | FQB50N06 | FQB2N50TM | FQAF47P06
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117