HY3506B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY3506B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 306 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 1010 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO263
HY3506B Datasheet (PDF)
hy3506p hy3506b.pdf
HY3506P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.5 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and
hy3503c2.pdf
HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET
hy3503c2.pdf
HY3503C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/150AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.0m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
