HY3506B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HY3506B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HY3506B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HY3506B даташит
hy3506p hy3506b.pdf
HY3506P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested S D G Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and
Другие MOSFET... S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , AON6414A , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117