LTP70N06P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LTP70N06P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO220

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LTP70N06P datasheet

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LTP70N06P

LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m , DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

 6.1. Size:590K  liteon
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LTP70N06P

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m , DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Otros transistores... S85N16RN, S85N16RP, S85N16S, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, HY3506P, HY3506B, IRFB4115, NCE65TF130T, HG3P056N20S, HG3P095N25S, HGA025N06S, HGA028NE6AL, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL