LTP70N06P Todos los transistores

 

LTP70N06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LTP70N06P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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LTP70N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  1
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LTP70N06P

LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

 6.1. Size:590K  liteon
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LTP70N06P

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Otros transistores... S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , IRFB4115 , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , HGA045NE4SL .

History: TPC8076 | SWHA069R06VT | HRD85N08K | APT20M11JFLL | CS24N40A8 | HRLD150N10K | TPC8081

 

 
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