LTP70N06P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LTP70N06P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 67 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 410 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LTP70N06P
LTP70N06P Datasheet (PDF)
ltp70n06p.pdf
LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit
ltp70n06.pdf
LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit
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