Справочник MOSFET. LTP70N06P

 

LTP70N06P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LTP70N06P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для LTP70N06P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LTP70N06P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  1
 ltp70n06p.pdf pdf_icon

LTP70N06P

LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

 6.1. Size:590K  liteon
 ltp70n06.pdf pdf_icon

LTP70N06P

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features: Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m, DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , IRFP250N , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , HGA045NE4SL .

History: AP9468GS | UT100N03G-TQ2-T | AP9964GM | ZXMN3G32DN8

 

 
Back to Top

 


 
.