LTP70N06P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LTP70N06P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LTP70N06P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LTP70N06P даташит

 ..1. Size:743K  1
 ltp70n06p.pdf pdf_icon

LTP70N06P

LTP70N06P N-Channel 60V Power MOSFET Features Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 11.5 m , DC-DC converter and DC motor control Typ = 9 m UPS ID = 80 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

 6.1. Size:590K  liteon
 ltp70n06.pdf pdf_icon

LTP70N06P

LTP70N06 N-Channel 60V Power MOSFET Features Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology High di/dt Capability Improved Gate Charge Application BVDSS = 60 V, Switching RDS(ON ) = 14 m , DC-DC converter and DC motor control Typ = 10 m UPS ID = 70 A Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit

Другие IGBT... S85N16RN, S85N16RP, S85N16S, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, HY3506P, HY3506B, IRFB4115, NCE65TF130T, HG3P056N20S, HG3P095N25S, HGA025N06S, HGA028NE6AL, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL