HG3P056N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HG3P056N20S
Código: G3P056N20S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 600 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 219 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 112 nC
Tiempo de subida (tr): 44 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 840 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HG3P056N20S
HG3P056N20S Datasheet (PDF)
hg3p056n20s.pdf
P-1HG3P056N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability219 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra
hg3p095n25s.pdf
P-1HG3P095N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching8.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability164 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: TPV65R080C
