HG3P056N20S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HG3P056N20S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 219 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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HG3P056N20S datasheet

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HG3P056N20S

P-1 HG3P056N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.7 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 219 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Dra

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HG3P056N20S

P-1 HG3P095N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching 8.5 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 164 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Dra

Otros transistores... S85N16S, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, HY3506P, HY3506B, LTP70N06P, NCE65TF130T, P55NF06, HG3P095N25S, HGA025N06S, HGA028NE6AL, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL, HGA046NE6A, HGA046NE6AL