Справочник MOSFET. HG3P056N20S

 

HG3P056N20S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HG3P056N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 219 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HG3P056N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  cn hunteck
 hg3p056n20s.pdf pdf_icon

HG3P056N20S

P-1HG3P056N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability219 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra

 9.1. Size:986K  cn hunteck
 hg3p095n25s.pdf pdf_icon

HG3P056N20S

P-1HG3P095N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching8.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability164 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRLR7821PBF | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.