HG3P056N20S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HG3P056N20S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 219 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HG3P056N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HG3P056N20S даташит

 ..1. Size:990K  cn hunteck
 hg3p056n20s.pdf pdf_icon

HG3P056N20S

P-1 HG3P056N20S 200V N-Ch Power MOSFET Feature 200 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.7 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 219 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Dra

 9.1. Size:986K  cn hunteck
 hg3p095n25s.pdf pdf_icon

HG3P056N20S

P-1 HG3P095N25S 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching 8.5 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 164 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools Dra

Другие IGBT... S85N16S, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, HY3506P, HY3506B, LTP70N06P, NCE65TF130T, P55NF06, HG3P095N25S, HGA025N06S, HGA028NE6AL, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL, HGA046NE6A, HGA046NE6AL