HG3P056N20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HG3P056N20S
Маркировка: G3P056N20S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 219 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 112 nC
Время нарастания (tr): 44 ns
Выходная емкость (Cd): 840 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0056 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для HG3P056N20S
HG3P056N20S Datasheet (PDF)
hg3p056n20s.pdf
P-1HG3P056N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability219 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra
hg3p095n25s.pdf
P-1HG3P095N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching8.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability164 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
