HG3P056N20S - аналоги и даташиты транзистора

 

HG3P056N20S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HG3P056N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 219 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для HG3P056N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HG3P056N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  cn hunteck
 hg3p056n20s.pdf pdf_icon

HG3P056N20S

P-1HG3P056N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability219 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra

 9.1. Size:986K  cn hunteck
 hg3p095n25s.pdf pdf_icon

HG3P056N20S

P-1HG3P095N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching8.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability164 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra

Другие MOSFET... S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , IRFB4115 , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , HGA045NE4SL , HGA046NE6A , HGA046NE6AL .

History: SWK120R45VT | 2SK3857TV | MCAC10H03 | FHF4N60A | HSM6901 | P0660ED | SI2301BDS-T1-GE3

 

 
Back to Top

 


 
.