HG3P095N25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HG3P095N25S
Código: G3P095N25S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 600 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 164 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 116 nC
Tiempo de subida (tr): 44 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 696 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HG3P095N25S
HG3P095N25S Datasheet (PDF)
hg3p095n25s.pdf
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hg3p056n20s.pdf
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