HG3P095N25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HG3P095N25S
Маркировка: G3P095N25S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 164 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 116 nC
Время нарастания (tr): 44 ns
Выходная емкость (Cd): 696 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
Аналог (замена) для HG3P095N25S
HG3P095N25S Datasheet (PDF)
hg3p095n25s.pdf
P-1HG3P095N25S250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching8.5RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability164 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra
hg3p056n20s.pdf
P-1HG3P056N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching4.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability219 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power ToolsDra
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
