HGA028NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGA028NE6AL
Código: GA028NE6AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 82 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 68 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1625 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA028NE6AL
HGA028NE6AL Datasheet (PDF)
hga028ne6al.pdf
HGA028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.7RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness82 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching an
hga025n06s.pdf
HGA025N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-220F 1.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability109 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2 Powe
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