HGA028NE6AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA028NE6AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA028NE6AL datasheet

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HGA028NE6AL

HGA028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.7 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 82 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching an

 9.1. Size:774K  cn hunteck
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HGA028NE6AL

HGA025N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-220F 1.9 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 109 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2 Powe

Otros transistores... DP3080, HY3506P, HY3506B, LTP70N06P, NCE65TF130T, HG3P056N20S, HG3P095N25S, HGA025N06S, IRFP250N, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL, HGA046NE6A, HGA046NE6AL, HGA053N06S, HGA053N06SL, HGA055N10SL