HGA028NE6AL Todos los transistores

 

HGA028NE6AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGA028NE6AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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HGA028NE6AL Datasheet (PDF)

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HGA028NE6AL

HGA028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.7RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness82 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching an

 9.1. Size:774K  cn hunteck
 hga025n06s.pdf pdf_icon

HGA028NE6AL

HGA025N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-220F 1.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability109 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2 Powe

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History: CJL3443 | BRF12N60 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | CHM13N07PAGP

 

 
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