HGA028NE6AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA028NE6AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA028NE6AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA028NE6AL даташит

 ..1. Size:919K  cn hunteck
 hga028ne6al.pdf pdf_icon

HGA028NE6AL

HGA028NE6AL P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 2.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 3.7 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 82 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching an

 9.1. Size:774K  cn hunteck
 hga025n06s.pdf pdf_icon

HGA028NE6AL

HGA025N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-220F 1.9 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 109 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2 Powe

Другие IGBT... DP3080, HY3506P, HY3506B, LTP70N06P, NCE65TF130T, HG3P056N20S, HG3P095N25S, HGA025N06S, IRFP250N, HGA040N06S, HGA040N06SL, HGA045NE4SL, HGA046NE6A, HGA046NE6AL, HGA053N06S, HGA053N06SL, HGA055N10SL