HGA046NE6A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA046NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 769 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA046NE6A datasheet

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HGA046NE6A

P-1 HGA046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.7 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 53 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

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HGA046NE6A

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HGA046NE6A

HGA040N06S P-1 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 3.4 RDS(on),typ m Optimized for high speed switching 76 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit P

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HGA046NE6A

HGA045NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 3.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 59 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMP

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