HGA046NE6A - аналоги и даташиты транзистора

 

HGA046NE6A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGA046NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA046NE6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA046NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  cn hunteck
 hga046ne6a.pdf pdf_icon

HGA046NE6A

P-1HGA046NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability53 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

 0.1. Size:903K  cn hunteck
 hga046ne6al.pdf pdf_icon

HGA046NE6A

P-1HGA046NE6AL65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level4.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability6.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness53 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 9.1. Size:772K  cn hunteck
 hga040n06s.pdf pdf_icon

HGA046NE6A

HGA040N06S P-160V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.4RDS(on),typ m Optimized for high speed switching76 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitP

 9.2. Size:791K  cn hunteck
 hga045ne4sl.pdf pdf_icon

HGA046NE6A

HGA045NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature3.5RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability59 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , HGA045NE4SL , IRFP260 , HGA046NE6AL , HGA053N06S , HGA053N06SL , HGA055N10SL , HGA058N08SL , HGA059N08A , HGA059N12S , HGA059N12SL .

History: WMK15N65C2 | AP9566GM | UT8205AG-AG6-R

 

 
Back to Top

 


 
.