HGA110N10SL Todos los transistores

 

HGA110N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGA110N10SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HGA110N10SL MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGA110N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:793K  cn hunteck
 hga110n10sl.pdf pdf_icon

HGA110N10SL

HGA110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V9.0RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V11RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness37.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

 9.1. Size:1163K  cn hunteck
 hga115n15s.pdf pdf_icon

HGA110N10SL

HGA115N15SP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 11.5RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel

Otros transistores... HGA090N06SL , HGA093N12SL , HGA098N10A , HGA098N10AL , HGA098N10S , HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , IRLB4132 , HGA115N15S , HGA120N10A , HGA130N12S , HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S .

History: ME4946 | VS7N65AF | IRFP1405PBF | BSZ0907ND | ME4954 | IRFH9310 | CJS2013

 

 
Back to Top

 


 
.