HGA110N10SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGA110N10SL
Código: GA110N10SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 38 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 162 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA110N10SL
HGA110N10SL Datasheet (PDF)
hga110n10sl.pdf
HGA110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V9.0RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V11RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness37.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS
hga115n15s.pdf
HGA115N15SP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 11.5RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel
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