HGA110N10SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA110N10SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA110N10SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA110N10SL даташит

 ..1. Size:793K  cn hunteck
 hga110n10sl.pdf pdf_icon

HGA110N10SL

HGA110N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level VGS=10V 9.0 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 37.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

 9.1. Size:1163K  cn hunteck
 hga115n15s.pdf pdf_icon

HGA110N10SL

HGA115N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 11.5 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel

Другие IGBT... HGA090N06SL, HGA093N12SL, HGA098N10A, HGA098N10AL, HGA098N10S, HGA100N12S, HGA100N12SL, HGA105N15M, CS150N03A8, HGA115N15S, HGA120N10A, HGA130N12S, HGA130N12SL, HGA155N15S, HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S