HGA110N10SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGA110N10SL
Маркировка: GA110N10SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 162 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для HGA110N10SL
HGA110N10SL Datasheet (PDF)
hga110n10sl.pdf
HGA110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V9.0RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V11RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness37.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS
hga115n15s.pdf
HGA115N15SP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 11.5RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
