Справочник MOSFET. HGA110N10SL

 

HGA110N10SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA110N10SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA110N10SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA110N10SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:793K  cn hunteck
 hga110n10sl.pdf pdf_icon

HGA110N10SL

HGA110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V9.0RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V11RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness37.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

 9.1. Size:1163K  cn hunteck
 hga115n15s.pdf pdf_icon

HGA110N10SL

HGA115N15SP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 11.5RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel

Другие MOSFET... HGA090N06SL , HGA093N12SL , HGA098N10A , HGA098N10AL , HGA098N10S , HGA100N12S , HGA100N12SL , HGA105N15M , IRLB4132 , HGA115N15S , HGA120N10A , HGA130N12S , HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S .

History: GSM2913W

 

 
Back to Top

 


 
.