HGA115N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA115N15S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 239 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA115N15S datasheet

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HGA115N15S

HGA115N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 11.5 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel

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HGA115N15S

HGA110N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level VGS=10V 9.0 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 37.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGA093N12SL, HGA098N10A, HGA098N10AL, HGA098N10S, HGA100N12S, HGA100N12SL, HGA105N15M, HGA110N10SL, NCEP15T14, HGA120N10A, HGA130N12S, HGA130N12SL, HGA155N15S, HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL