HGA115N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGA115N15S
   Código: GA115N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 47 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 42 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 42 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 239 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA115N15S

HGA115N15S Datasheet (PDF)

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hga115n15s.pdf

HGA115N15SP-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 11.5RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel

9.1. Size:793K cn hunteck
hga110n10sl.pdf

HGA110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V9.0RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V11RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness37.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS

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Liste

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