HGA115N15S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA115N15S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 239 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA115N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA115N15S даташит

 ..1. Size:1163K  cn hunteck
 hga115n15s.pdf pdf_icon

HGA115N15S

HGA115N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 11.5 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 42 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Tel

 9.1. Size:793K  cn hunteck
 hga110n10sl.pdf pdf_icon

HGA115N15S

HGA110N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level VGS=10V 9.0 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 37.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGA093N12SL, HGA098N10A, HGA098N10AL, HGA098N10S, HGA100N12S, HGA100N12SL, HGA105N15M, HGA110N10SL, NCEP15T14, HGA120N10A, HGA130N12S, HGA130N12SL, HGA155N15S, HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL