HGA1K2N20ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGA1K2N20ML
   Código: GA1K2N20ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA1K2N20ML

HGA1K2N20ML Datasheet (PDF)

..1. Size:828K cn hunteck
hga1k2n20ml.pdf

HGA1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.57 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

6.1. Size:819K cn hunteck
hga1k2n25ml.pdf

HGA1K2N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level87RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability93RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

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Liste

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