HGA1K2N20ML - аналоги и даташиты транзистора

 

HGA1K2N20ML - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGA1K2N20ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA1K2N20ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA1K2N20ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  cn hunteck
 hga1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGA1K2N20ML

HGA1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.57 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

 6.1. Size:819K  cn hunteck
 hga1k2n25ml.pdf pdf_icon

HGA1K2N20ML

HGA1K2N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level87RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability93RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

Другие MOSFET... HGA130N12S , HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , AO3401 , HGA1K2N25ML , HGA2K4N25ML , HGA320N20S , HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A .

History: AM6930N | RQ3E120BN | NP88N055CLE | RQ3E120GN | AM6968NH | BL25N40-P | SPB80P06PG

 

 
Back to Top

 


 
.