HGA1K2N25ML Todos los transistores

 

HGA1K2N25ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGA1K2N25ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HGA1K2N25ML MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGA1K2N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  cn hunteck
 hga1k2n25ml.pdf pdf_icon

HGA1K2N25ML

HGA1K2N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level87RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability93RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

 6.1. Size:828K  cn hunteck
 hga1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGA1K2N25ML

HGA1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.57 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

Otros transistores... HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , STP80NF70 , HGA2K4N25ML , HGA320N20S , HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A .

History: 2SJ125 | FDD6N50TF | NVMFD5C650NL | IRFU420B | UM6K31N

 

 
Back to Top

 


 
.