Справочник MOSFET. HGA1K2N25ML

 

HGA1K2N25ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA1K2N25ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA1K2N25ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA1K2N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  cn hunteck
 hga1k2n25ml.pdf pdf_icon

HGA1K2N25ML

HGA1K2N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level87RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability93RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Spe

 6.1. Size:828K  cn hunteck
 hga1k2n20ml.pdf pdf_icon

HGA1K2N25ML

HGA1K2N20ML P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level95RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability106RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.57 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

Другие MOSFET... HGA130N12SL , HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , STP80NF70 , HGA2K4N25ML , HGA320N20S , HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A .

History: IPB120N04S3-02 | IXFV30N60P | AP9404GM-HF | SPI11N60CFD | CJPF07N60 | CSD17303Q5 | 2N60L-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.