HGA2K4N25ML Todos los transistores

 

HGA2K4N25ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGA2K4N25ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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HGA2K4N25ML Datasheet (PDF)

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HGA2K4N25ML

HGA2K4N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level180RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability190RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

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History: SQS464EEN | STE30NK90Z | 2P980A | AM4812 | PHN210T | FQD13N06LTF | NCE60NF080T

 

 
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