Справочник MOSFET. HGA2K4N25ML

 

HGA2K4N25ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA2K4N25ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA2K4N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 hga2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGA2K4N25ML

HGA2K4N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level180RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability190RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3116B | LR024N | LNC08R160 | NTP2955 | JST60N30T2 | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.