Справочник MOSFET. HGA2K4N25ML

 

HGA2K4N25ML Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA2K4N25ML
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA2K4N25ML

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA2K4N25ML Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 hga2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGA2K4N25ML

HGA2K4N25ML P-1250V N-Ch Power MOSFETFeature250 VVDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level180RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability190RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness6.6 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

Другие MOSFET... HGA155N15S , HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , HGA1K2N25ML , 13N50 , HGA320N20S , HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S .

History: AM30N02-40D | VBZE30N03 | IPB029N06N3G | 2SK3481 | AM30N03-40D | AP9962AGJ-HF | FMR23N50ES

 

 
Back to Top

 


 
.