HGA2K4N25ML. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA2K4N25ML

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA2K4N25ML

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA2K4N25ML даташит

 ..1. Size:821K  cn hunteck
 hga2k4n25ml.pdf pdf_icon

HGA2K4N25ML

HGA2K4N25ML P-1 250V N-Ch Power MOSFET Feature 250 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 180 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 190 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 6.6 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

Другие IGBT... HGA155N15S, HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, 5N60, HGA320N20S, HGB009NE6A, HGB012N08A, HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S