HGA320N20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGA320N20S
   Código: GA320N20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 19 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 124 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA320N20S

HGA320N20S Datasheet (PDF)

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hga320n20s.pdf

HGA320N20S P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness24 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitTO-220F Power ToolsDrain UPS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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