HGA320N20S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA320N20S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA320N20S datasheet

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HGA320N20S

HGA320N20S P-1 200V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 200 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 28 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 24 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit TO-220F Power Tools Drain UPS

Otros transistores... HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, HGA2K4N25ML, RFP50N06, HGB009NE6A, HGB012N08A, HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S