HGA320N20S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA320N20S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA320N20S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA320N20S даташит

 ..1. Size:771K  cn hunteck
 hga320n20s.pdf pdf_icon

HGA320N20S

HGA320N20S P-1 200V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 200 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 28 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 24 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit TO-220F Power Tools Drain UPS

Другие IGBT... HGA170N10A, HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, HGA2K4N25ML, RFP50N06, HGB009NE6A, HGB012N08A, HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S