HGA320N20S - аналоги и даташиты транзистора

 

HGA320N20S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGA320N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA320N20S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA320N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn hunteck
 hga320n20s.pdf pdf_icon

HGA320N20S

HGA320N20S P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness24 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitTO-220F Power ToolsDrain UPS

Другие MOSFET... HGA170N10A , HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , HGA1K2N25ML , HGA2K4N25ML , SKD502T , HGB009NE6A , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S .

History: 4N60L-TF3-T | TK28V65W | SIR172ADP | CEB09N7G | JCS4N90FA | PMV170UN | GT1003B

 

 
Back to Top

 


 
.