Справочник MOSFET. HGA320N20S

 

HGA320N20S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGA320N20S
   Маркировка: GA320N20S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 124 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для HGA320N20S

 

 

HGA320N20S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  cn hunteck
 hga320n20s.pdf

HGA320N20S HGA320N20S

HGA320N20S P-1200V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching200 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 28RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness24 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitTO-220F Power ToolsDrain UPS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top