HGB009NE6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGB009NE6A
   Código: GB009NE6A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 429 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 240 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 280 nC
   Tiempo de subida (tr): 32 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 6011 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB009NE6A

HGB009NE6A Datasheet (PDF)

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P-1HGB009NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.78RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness506 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

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Liste

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