HGB009NE6A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB009NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6011 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de HGB009NE6A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGB009NE6A datasheet

 ..1. Size:1018K  cn hunteck
 hgb009ne6a.pdf pdf_icon

HGB009NE6A

P-1 HGB009NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.78 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 506 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 240 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Otros transistores... HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, HGA2K4N25ML, HGA320N20S, SI2302, HGB012N08A, HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S, HGP019N06S