HGB009NE6A Todos los transistores

 

HGB009NE6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB009NE6A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6011 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB009NE6A Datasheet (PDF)

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HGB009NE6A

P-1HGB009NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.78RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness506 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

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History: PMCM440VNE | FRL430D | NCEP048N85D | HUF75617D3S | NCEP048NH150T | AM90N06-15P | BL2N60-D

 

 
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