HGB009NE6A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGB009NE6A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6011 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HGB009NE6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB009NE6A даташит

 ..1. Size:1018K  cn hunteck
 hgb009ne6a.pdf pdf_icon

HGB009NE6A

P-1 HGB009NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 0.78 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 506 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 240 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие IGBT... HGA170N10AL, HGA190N15S, HGA190N15SL, HGA195N15S, HGA1K2N20ML, HGA1K2N25ML, HGA2K4N25ML, HGA320N20S, SI2302, HGB012N08A, HGB012NE6A, HGK012NE6A, HGB014N08A, HGK014N08A, HGB016N06S, HGK018N06S, HGP019N06S