Справочник MOSFET. HGB009NE6A

 

HGB009NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB009NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6011 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB009NE6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB009NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  cn hunteck
 hgb009ne6a.pdf pdf_icon

HGB009NE6A

P-1HGB009NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.78RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness506 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие MOSFET... HGA170N10AL , HGA190N15S , HGA190N15SL , HGA195N15S , HGA1K2N20ML , HGA1K2N25ML , HGA2K4N25ML , HGA320N20S , IRFZ46N , HGB012N08A , HGB012NE6A , HGK012NE6A , HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S , HGP019N06S .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | 7409B | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.