Справочник MOSFET. HGB009NE6A

 

HGB009NE6A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGB009NE6A
   Маркировка: GB009NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 429 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 65 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 240 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 280 nC
   Время нарастания (tr): 32 ns
   Выходная емкость (Cd): 6011 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB009NE6A

 

 

HGB009NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  cn hunteck
 hgb009ne6a.pdf

HGB009NE6A HGB009NE6A

P-1HGB009NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching65 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability0.78RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness506 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested240 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top