HGK019NE6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGK019NE6A
Código: GK019NE6A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 333 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 130 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3042 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGK019NE6A
HGK019NE6A Datasheet (PDF)
hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf
HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack
hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf
HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)
hgb014n08a hgk014n08a.pdf
, P-1HGB014N08A HGK014N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness371 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificatio
hgb012ne6a hgk012ne6a.pdf
, P-1HGB012NE6A HGK012NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness417 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification
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Liste
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MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C