Справочник MOSFET. HGK019NE6A

 

HGK019NE6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGK019NE6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3042 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HGK019NE6A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK019NE6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1282K  cn hunteck
hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdfpdf_icon

HGK019NE6A

HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack

 9.1. Size:863K  cn hunteck
hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdfpdf_icon

HGK019NE6A

HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)

 9.2. Size:1000K  cn hunteck
hgb014n08a hgk014n08a.pdfpdf_icon

HGK019NE6A

, P-1HGB014N08A HGK014N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness371 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificatio

 9.3. Size:1004K  cn hunteck
hgb012ne6a hgk012ne6a.pdfpdf_icon

HGK019NE6A

, P-1HGB012NE6A HGK012NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness417 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification

Другие MOSFET... HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S , HGP019N06S , HGB016NE6A , HGB017N10S , HGB019NE6A , RU6888R , HGP019NE6A , HGB020N10S , HGK020N10S , HGP020N10S , HGB020NE4S , HGK020NE4S , HGP020NE4S , HGB021N08A .

History: HAT1021R | OSG65R070PT3F | P4506BD | PB606BA | SI7617DN | SSF2616E | ME4972-G

 

 
Back to Top

 


 
.