HGK019NE6A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGK019NE6A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3042 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK019NE6A
HGK019NE6A Datasheet (PDF)
hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf
HGB019NE6A HGP019NE6A, P-1HGK019NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature 65 VVDS High Speed Power Switching TO-263 1.35RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited)180 A ID (Pack
hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf
HGB016N06S , HGK018N06S P-1HGP019N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.45RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.55RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.67RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested340 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)
hgb014n08a hgk014n08a.pdf
, P-1HGB014N08A HGK014N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness371 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificatio
hgb012ne6a hgk012ne6a.pdf
, P-1HGB012NE6A HGK012NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness417 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification
Другие MOSFET... HGB014N08A , HGK014N08A , HGB016N06S , HGK018N06S , HGP019N06S , HGB016NE6A , HGB017N10S , HGB019NE6A , AO3400A , HGP019NE6A , HGB020N10S , HGK020N10S , HGP020N10S , HGB020NE4S , HGK020NE4S , HGP020NE4S , HGB021N08A .
History: OSG55R290FF | STB70NFS03L | OSG60R1K2PF | IRFI830A | OSG60R1K8DF | AP9564GM
History: OSG55R290FF | STB70NFS03L | OSG60R1K2PF | IRFI830A | OSG60R1K8DF | AP9564GM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115





