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HGK027N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK027N10A
   Código: GK027N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 106 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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HGK027N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1042K  cn hunteck
 hgb027n10a hgk027n10a hgp027n10a.pdf pdf_icon

HGK027N10A

HGB027N10A , P-1HGK027N10AHGP027N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 2.2 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-247 VGS=10V 2.4 mW Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 2.5 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested248 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free

 9.1. Size:861K  cn hunteck
 hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGK027N10A

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)

 9.2. Size:1129K  cn hunteck
 hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf pdf_icon

HGK027N10A

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli

 9.3. Size:870K  cn hunteck
 hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf pdf_icon

HGK027N10A

,HGB025N06S HGK025N06S P-1HGP025N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.8RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.9RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested230 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

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History: AP04N80R-HF | OSG65R2K4PF | SI8800EDB | HY3208APS | LSD55R140GT | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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