HGK027N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGK027N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK027N10A
HGK027N10A Datasheet (PDF)
hgb027n10a hgk027n10a hgp027n10a.pdf

HGB027N10A , P-1HGK027N10AHGP027N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 2.2 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-247 VGS=10V 2.4 mW Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 2.5 mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested248 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free
hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf

,HGB021N08S HGK023N08S P-1HGP024N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.92RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 2.00RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested290 AID (Sillicon Limited) Lead Free205 AID (Package Limited)
hgb020ne4s hgk020ne4s hgp020ne4s.pdf

, P-1HGB020NE4S HGK020NE4SHGP020NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.75RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.75RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested288 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Appli
hgb025n06s hgk025n06s hgp025n06s.pdf

,HGB025N06S HGK025N06S P-1HGP025N06S60V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 1.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 1.8RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 1.9RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested230 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap
Другие MOSFET... HGB023NE6A , HGP023NE6A , HGB025N06S , HGK025N06S , HGP025N06S , HGB025N10A , HGB025N12S , HGB027N10A , BS170 , HGP027N10A , HGB027N10S , HGK029N10S , HGP030N10S , HGB027N12S , HGP027N12S , HGB028N08A , HGP028N08A .
History: BSP100 | GP2M005A060XXX | BUK7M6R0-40H | AP75N07GS | 2SK3009LS | 2SK3712 | SHD218505B
History: BSP100 | GP2M005A060XXX | BUK7M6R0-40H | AP75N07GS | 2SK3009LS | 2SK3712 | SHD218505B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775