HGA037N10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA037N10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 895 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA037N10T datasheet

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 hgb037n10t hgp037n10t hga037n10t.pdf pdf_icon

HGA037N10T

HGB037N10T HGP037N10T P-1 , HGA037N10T 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Smooth Switching 3.7 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 168 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools

Otros transistores... HGB035N10A, HGK035N10A, HGP035N10A, HGB037N10S, HGK037N10S, HGP037N10S, HGB037N10T, HGP037N10T, 8205A, HGB037N15M, HGB039N08A, HGP039N08A, HGB039N08S, HGK039N08S, HGP039N08S, HGB039N12S, HGK039N12S