HGA037N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGA037N10T
Código: GA037N10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 58 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 168 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 88 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 895 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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HGA037N10T Datasheet (PDF)
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HGB037N10T HGP037N10T P-1,HGA037N10T100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability168 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools
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