HGA037N10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA037N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 895 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA037N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA037N10T даташит

 ..1. Size:1604K  cn hunteck
 hgb037n10t hgp037n10t hga037n10t.pdf pdf_icon

HGA037N10T

HGB037N10T HGP037N10T P-1 , HGA037N10T 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Smooth Switching 3.7 RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability 168 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools

Другие IGBT... HGB035N10A, HGK035N10A, HGP035N10A, HGB037N10S, HGK037N10S, HGP037N10S, HGB037N10T, HGP037N10T, 8205A, HGB037N15M, HGB039N08A, HGP039N08A, HGB039N08S, HGK039N08S, HGP039N08S, HGB039N12S, HGK039N12S