HGB042N10S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGB042N10S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 161 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1066 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Encapsulados: TO-263
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HGB042N10S datasheet
hgb042n10s hgp042n10s.pdf
, HGB042N10S HGP042N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 3.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 161 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-220 TO-263 Hard Switching and
hgb042n10a hgp042n10a.pdf
, HGB042N10A HGP042N10A P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature TO-263 3.4 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching TO-220 3.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 167 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Swit
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf
, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous
hgb040n06sl hgp040n06sl.pdf
HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)
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