HGK043N15S Todos los transistores

 

HGK043N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK043N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 146 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de HGK043N15S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGK043N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1049K  cn hunteck
 hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf pdf_icon

HGK043N15S

, P-1HGB043N15S HGK043N15SHGP043N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.3RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested206 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synchronous

 9.1. Size:1055K  cn hunteck
 hgb045n15s hgk045n15s hgp045n15s.pdf pdf_icon

HGK043N15S

, P-1HGB045N15S HGK045N15SHGP045N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 4.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.1RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested194 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package Limited)

Otros transistores... HGB040N06SL , HGP040N06SL , HGB041N15S , HGB042N10A , HGP042N10A , HGB042N10S , HGP042N10S , HGB043N15S , IRF4905 , HGP043N15S , HGB045N15S , HGK045N15S , HGP045N15S , HGB046NE6A , HGP046NE6A , HGB046NE6AL , HGP046NE6AL .

History: JMSL040SAG | HGB042N10A | HGP043N15S | IRFR3412PBF | HGB045N15S

 

 
Back to Top

 


 
.