HGK043N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HGK043N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 146 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-247
HGK043N15S Datasheet (PDF)
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf

, P-1HGB043N15S HGK043N15SHGP043N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.3RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested206 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synchronous
hgb045n15s hgk045n15s hgp045n15s.pdf

, P-1HGB045N15S HGK045N15SHGP045N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 4.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.1RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested194 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package Limited)
Другие MOSFET... HGB040N06SL , HGP040N06SL , HGB041N15S , HGB042N10A , HGP042N10A , HGB042N10S , HGP042N10S , HGB043N15S , 4435 , HGP043N15S , HGB045N15S , HGK045N15S , HGP045N15S , HGB046NE6A , HGP046NE6A , HGB046NE6AL , HGP046NE6AL .
History: R4008AND
History: R4008AND



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor