HGK045N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGK045N15S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 137 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: TO-247

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HGK045N15S datasheet

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HGK045N15S

, P-1 HGB045N15S HGK045N15S HGP045N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 4.1 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.1 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 194 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 180 A ID (Package Limited)

 9.1. Size:1049K  cn hunteck
 hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf pdf_icon

HGK045N15S

, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous

Otros transistores... HGB042N10A, HGP042N10A, HGB042N10S, HGP042N10S, HGB043N15S, HGK043N15S, HGP043N15S, HGB045N15S, AON6380, HGP045N15S, HGB046NE6A, HGP046NE6A, HGB046NE6AL, HGP046NE6AL, HGB047N12S, HGP047N12S, HGB049N10S