HGK045N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGK045N15S
Маркировка: GK045N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 429 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 137 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 73 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 773 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0049 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK045N15S
HGK045N15S Datasheet (PDF)
hgb045n15s hgk045n15s hgp045n15s.pdf
, P-1HGB045N15S HGK045N15SHGP045N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 4.1RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.1RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested194 AID (Sillicon Limited) Lead Free180 AID (Package Limited)
hgb043n15s hgk043n15s hgp043n15s.pdf
, P-1HGB043N15S HGK043N15SHGP043N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 4.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 4.3RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested206 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synchronous
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
