HGB053N06SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB053N06SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 793 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB053N06SL datasheet

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HGB053N06SL

HGB053N06SL , HGP053N06SL P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 3.9 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.3 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.1 RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 5.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free 105 A ID

 4.1. Size:926K  cn hunteck
hgb053n06s hgp053n06s.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

, P-1 HGB053N06S HGP053N06S 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature TO-263 4.3 RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching TO-220 4.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 112 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 120 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchrono

 9.1. Size:919K  cn hunteck
hgb059n08a hgp059n08a.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

, P-1 HGB059N08A HGP059N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 97 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 9.2. Size:849K  cn hunteck
hgb059n12s hgp059n12s.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

, HGB059N12S HGP059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 4.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 160 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectif

Otros transistores... HGB049N10S, HGP049N10S, HGB050N10A, HGP050N10A, HGB050N14S, HGP050N14S, HGB053N06S, HGP053N06S, 18N50, HGP053N06SL, HGB055N12S, HGP055N12S, HGB057N15S, HGK057N15S, HGP057N15S, HGB058N08SL, HGP058N08SL