HGB053N06SL Todos los transistores

 

HGB053N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB053N06SL
   Código: GB053N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 793 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGB053N06SL Datasheet (PDF)

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HGB053N06SL

HGB053N06SL , HGP053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness4.1RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free105 AID

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HGB053N06SL

, P-1HGB053N06S HGP053N06S60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeatureTO-263 4.3RDS(on),typ mW Optimized for high speed switchingTO-220 4.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability112 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchrono

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HGB053N06SL

, P-1HGB059N08AHGP059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 5.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness97 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

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HGB053N06SL

,HGB059N12S HGP059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 4.4RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 4.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness160 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectif

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History: SML40W44 | P06P03LDG

 

 
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