Справочник MOSFET. HGB053N06SL

 

HGB053N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB053N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 793 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB053N06SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB053N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  cn hunteck
 hgb053n06sl hgp053n06sl.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

HGB053N06SL , HGP053N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3.9RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability5.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness4.1RDS(on),typ VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested5.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Lead Free, Halogen Free105 AID

 4.1. Size:926K  cn hunteck
 hgb053n06s hgp053n06s.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

, P-1HGB053N06S HGP053N06S60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeatureTO-263 4.3RDS(on),typ mW Optimized for high speed switchingTO-220 4.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability112 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness120 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchrono

 9.1. Size:919K  cn hunteck
 hgb059n08a hgp059n08a.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

, P-1HGB059N08AHGP059N08A80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 4.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 5.2RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness97 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

 9.2. Size:849K  cn hunteck
 hgb059n12s hgp059n12s.pdf pdf_icon

HGB053N06SL

,HGB059N12S HGP059N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 4.4RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 4.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness160 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested120 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGB049N10S , HGP049N10S , HGB050N10A , HGP050N10A , HGB050N14S , HGP050N14S , HGB053N06S , HGP053N06S , SKD502T , HGP053N06SL , HGB055N12S , HGP055N12S , HGB057N15S , HGK057N15S , HGP057N15S , HGB058N08SL , HGP058N08SL .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.