HGK057N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGK057N15S
Código: GK057N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 357 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 161 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 463 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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HGK057N15S Datasheet (PDF)
hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf
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,HGB057N15S HGK057N15S P-1HGP057N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited)Application Synchr
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