HGK057N15S Todos los transistores

 

HGK057N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK057N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 161 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGK057N15S

 

Principales características: HGK057N15S

 ..1. Size:1121K  cn hunteck
 hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf pdf_icon

HGK057N15S

, HGB057N15S HGK057N15S P-1 HGP057N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5 RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited) Application Synchr

Otros transistores... HGP050N14S , HGB053N06S , HGP053N06S , HGB053N06SL , HGP053N06SL , HGB055N12S , HGP055N12S , HGB057N15S , IRF520 , HGP057N15S , HGB058N08SL , HGP058N08SL , HGB059N08A , HGP059N08A , HGB059N12S , HGP059N12S , HGB059N12SL .

History: PMPB23XNEA | DMP3160L

 

 
Back to Top

 


 
.