HGK057N15S Todos los transistores

 

HGK057N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK057N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 161 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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HGK057N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  cn hunteck
 hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf pdf_icon

HGK057N15S

,HGB057N15S HGK057N15S P-1HGP057N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited)Application Synchr

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History: ME9435AS-G | IXTX170P10P | HGM046NE6AL | IXFH23N80Q | ME7620-G | OSG60R099FT3F | BUK9E06-55A

 

 
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