HGK057N15S - описание и поиск аналогов

 

HGK057N15S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGK057N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для HGK057N15S

 

HGK057N15S технические параметры

 ..1. Size:1121K  cn hunteck
 hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf pdf_icon

HGK057N15S

, HGB057N15S HGK057N15S P-1 HGP057N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5 RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited) Application Synchr

Другие MOSFET... HGP050N14S , HGB053N06S , HGP053N06S , HGB053N06SL , HGP053N06SL , HGB055N12S , HGP055N12S , HGB057N15S , IRF520 , HGP057N15S , HGB058N08SL , HGP058N08SL , HGB059N08A , HGP059N08A , HGB059N12S , HGP059N12S , HGB059N12SL .

History: HGD028NE6AL | HGP057N15S

 

 
Back to Top

 


 
.