HGK057N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGK057N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGK057N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK057N15S даташит

 ..1. Size:1121K  cn hunteck
 hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf pdf_icon

HGK057N15S

, HGB057N15S HGK057N15S P-1 HGP057N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5 RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited) Application Synchr

Другие IGBT... HGP050N14S, HGB053N06S, HGP053N06S, HGB053N06SL, HGP053N06SL, HGB055N12S, HGP055N12S, HGB057N15S, IRF520, HGP057N15S, HGB058N08SL, HGP058N08SL, HGB059N08A, HGP059N08A, HGB059N12S, HGP059N12S, HGB059N12SL