HGK057N15S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGK057N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для HGK057N15S
HGK057N15S Datasheet (PDF)
hgb057n15s hgk057n15s hgp057n15s.pdf

,HGB057N15S HGK057N15S P-1HGP057N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.3RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 5.5RDS(on),TYP mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 161 A Lead Free ID (Sillicon Limited)Application Synchr
Другие MOSFET... HGP050N14S , HGB053N06S , HGP053N06S , HGB053N06SL , HGP053N06SL , HGB055N12S , HGP055N12S , HGB057N15S , STF13NM60N , HGP057N15S , HGB058N08SL , HGP058N08SL , HGB059N08A , HGP059N08A , HGB059N12S , HGP059N12S , HGB059N12SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N30D | AP5N20D-H | AP5N20D | AP5N15MSI | AP4959A | ATM2320KNSA | ATM2310NSA | ATM2305PSA | ATM2302NSA | ATM2301PSC | ATM2300NSA | ATM1205PSI | ATM10N65TF | ATM10N10SQ | ATM06P50TC | AP40H10NF
Popular searches
3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705