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HGB068N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB068N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 151 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB068N15S

 

Principales características: HGB068N15S

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 hgb068n15s hgp068n15s.pdf pdf_icon

HGB068N15S

, HGB068N15S HGP068N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

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History: PMPB43XPEA | HGB059N12SL | HGP059N12S | HGB390N25S

 

 
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