Справочник MOSFET. HGB068N15S

 

HGB068N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB068N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 151 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB068N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1045K  cn hunteck
 hgb068n15s hgp068n15s.pdf pdf_icon

HGB068N15S

,HGB068N15S HGP068N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.