HGB068N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGB068N15S
Маркировка: GB068N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 151 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 463 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB068N15S
HGB068N15S Datasheet (PDF)
..1. Size:1045K cn hunteck
hgb068n15s hgp068n15s.pdf
hgb068n15s hgp068n15s.pdf
,HGB068N15S HGP068N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
