HGB068N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB068N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 151 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB068N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB068N15S даташит

 ..1. Size:1045K  cn hunteck
 hgb068n15s hgp068n15s.pdf pdf_icon

HGB068N15S

, HGB068N15S HGP068N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

Другие IGBT... HGB058N08SL, HGP058N08SL, HGB059N08A, HGP059N08A, HGB059N12S, HGP059N12S, HGB059N12SL, HGP059N12SL, STP65NF06, HGP068N15S, HGB070N12S, HGP070N12S, HGB070N15S, HGK070N15S, HGP070N15S, HGB080N08SL, HGP080N08SL