Справочник MOSFET. HGB068N15S

 

HGB068N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB068N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 151 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB068N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB068N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1045K  cn hunteck
 hgb068n15s hgp068n15s.pdf pdf_icon

HGB068N15S

,HGB068N15S HGP068N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

Другие MOSFET... HGB058N08SL , HGP058N08SL , HGB059N08A , HGP059N08A , HGB059N12S , HGP059N12S , HGB059N12SL , HGP059N12SL , IRFZ48N , HGP068N15S , HGB070N12S , HGP070N12S , HGB070N15S , HGK070N15S , HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL .

History: HY3312M | BSC035N04LSG | FDS6680S | ZXM64N035L3 | CHM730GPAGP | H7N1005LD | STN4260

 

 
Back to Top

 


 
.