HGP068N15S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGP068N15S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 151 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: TO-220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGP068N15S MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGP068N15S datasheet

 ..1. Size:1045K  cn hunteck
 hgb068n15s hgp068n15s.pdf pdf_icon

HGP068N15S

, HGB068N15S HGP068N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4 RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7 RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

Otros transistores... HGP058N08SL, HGB059N08A, HGP059N08A, HGB059N12S, HGP059N12S, HGB059N12SL, HGP059N12SL, HGB068N15S, IRF1405, HGB070N12S, HGP070N12S, HGB070N15S, HGK070N15S, HGP070N15S, HGB080N08SL, HGP080N08SL, HGB080N10A