HGP068N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP068N15S
Маркировка: GP068N15S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 151 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 463 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP068N15S
HGP068N15S Datasheet (PDF)
..1. Size:1045K cn hunteck
hgb068n15s hgp068n15s.pdf
hgb068n15s hgp068n15s.pdf
,HGB068N15S HGP068N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
