Справочник MOSFET. HGP068N15S

 

HGP068N15S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGP068N15S
   Маркировка: GP068N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 151 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
   Время нарастания (tr): 21 ns
   Выходная емкость (Cd): 463 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для HGP068N15S

 

 

HGP068N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1045K  cn hunteck
hgb068n15s hgp068n15s.pdf

HGP068N15S
HGP068N15S

,HGB068N15S HGP068N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 5.4RDS(on),TYP mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.7RDS(on),TYP mW Enhanced Avalanche Ruggedness 151 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top