HGB070N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGB070N12S
Código: GB070N12S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 133 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 38 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 438 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0067 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB070N12S
HGB070N12S Datasheet (PDF)
hgb070n12s hgp070n12s.pdf
, P-1HGB070N12SHGP070N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness133 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain H
hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf
HGB070N15S , HGK070N15S P-1HGP070N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 5.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free IDApplication Synchronous Rectification in SMPS
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
