HGB070N12S Todos los transistores

 

HGB070N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB070N12S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 133 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 438 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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HGB070N12S Datasheet (PDF)

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 hgb070n12s hgp070n12s.pdf pdf_icon

HGB070N12S

, P-1HGB070N12SHGP070N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness133 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain H

 6.1. Size:1113K  cn hunteck
 hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf pdf_icon

HGB070N12S

HGB070N15S , HGK070N15S P-1HGP070N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 5.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free IDApplication Synchronous Rectification in SMPS

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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