Справочник MOSFET. HGB070N12S

 

HGB070N12S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB070N12S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 133 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB070N12S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB070N12S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:968K  cn hunteck
 hgb070n12s hgp070n12s.pdf pdf_icon

HGB070N12S

, P-1HGB070N12SHGP070N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness133 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain H

 6.1. Size:1113K  cn hunteck
 hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf pdf_icon

HGB070N12S

HGB070N15S , HGK070N15S P-1HGP070N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 5.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free IDApplication Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGB059N08A , HGP059N08A , HGB059N12S , HGP059N12S , HGB059N12SL , HGP059N12SL , HGB068N15S , HGP068N15S , MMIS60R580P , HGP070N12S , HGB070N15S , HGK070N15S , HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , HGP080N10A .

History: CHM6060RNGP | PHP79NQ08LT | SM7A25NSU | AON6414AL | LSD65R180GT | SI4712DY | OSG60R360DZF

 

 
Back to Top

 


 
.