HGK070N15S Todos los transistores

 

HGK070N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGK070N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de HGK070N15S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HGK070N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1113K  cn hunteck
 hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf pdf_icon

HGK070N15S

HGB070N15S , HGK070N15S P-1HGP070N15S150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 5.9RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free IDApplication Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... HGP059N12S , HGB059N12SL , HGP059N12SL , HGB068N15S , HGP068N15S , HGB070N12S , HGP070N12S , HGB070N15S , IRF1405 , HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , HGP080N10A , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M .

History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
Back to Top

 


 
.