HGK070N15S - описание и поиск аналогов

 

HGK070N15S - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGK070N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для HGK070N15S

 

HGK070N15S технические параметры

 ..1. Size:1113K  cn hunteck
 hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf pdf_icon

HGK070N15S

HGB070N15S , HGK070N15S P-1 HGP070N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 5.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free ID Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие MOSFET... HGP059N12S , HGB059N12SL , HGP059N12SL , HGB068N15S , HGP068N15S , HGB070N12S , HGP070N12S , HGB070N15S , IRF830 , HGP070N15S , HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , HGP080N10A , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M .

History: HGB070N15S | UF3205

 

 
Back to Top

 


 
.