HGK070N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGK070N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGK070N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGK070N15S даташит

 ..1. Size:1113K  cn hunteck
 hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf pdf_icon

HGK070N15S

HGB070N15S , HGK070N15S P-1 HGP070N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 5.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free ID Application Synchronous Rectification in SMPS

Другие IGBT... HGP059N12S, HGB059N12SL, HGP059N12SL, HGB068N15S, HGP068N15S, HGB070N12S, HGP070N12S, HGB070N15S, IRF830, HGP070N15S, HGB080N08SL, HGP080N08SL, HGB080N10A, HGP080N10A, HGB080N10AL, HGP080N10AL, HGB082N10M