HGB090N06SL Todos los transistores

 

HGB090N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGB090N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGB090N06SL Datasheet (PDF)

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HGB090N06SL

HGB090N06SL HGP090N06SL, P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.0RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V 9.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.3RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V 10.0RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

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HGB090N06SL

HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.6RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness7.9RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

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HGB090N06SL

HGB098N10A , P-1HGP098N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingRDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness70.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in

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HGB090N06SL

, P-1HGB098N10ALHGP098N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability11RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness8.4RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free68 AID (Sil

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History: STB60NF10T4 | DMP6110SSD | NTLJS4159NT1G | H10N60F | WFW40N25W | TK8A65D | FDS6892A

 

 
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