HGB090N06SL - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HGB090N06SL
Маркировка: GB090N06SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для HGB090N06SL
HGB090N06SL технические параметры
hgb090n06sl hgp090n06sl.pdf
HGB090N06SL HGP090N06SL , P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 9.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 10.0 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdf
HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.6 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 10.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.9 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
hgb098n10a hgp098n10a.pdf
HGB098N10A , P-1 HGP098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching RDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in
hgb098n10al hgp098n10al.pdf
, P-1 HGB098N10AL HGP098N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 11.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 68 A ID (Sil
Другие MOSFET... HGB080N10A , HGP080N10A , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M , HGP082N10M , HGB088N15S , HGP088N15S , IRFP064N , HGP090N06SL , HGB095NE4SL , HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL , HGP098N10AL , HGB100N12S .
History: HGB170N10AL
History: HGB170N10AL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p





