HGB090N06SL - описание и поиск аналогов

 

HGB090N06SL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB090N06SL
   Маркировка: GB090N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB090N06SL

 

HGB090N06SL технические параметры

 ..1. Size:800K  cn hunteck
hgb090n06sl hgp090n06sl.pdfpdf_icon

HGB090N06SL

HGB090N06SL HGP090N06SL , P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 9.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 10.0 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.1. Size:816K  cn hunteck
hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdfpdf_icon

HGB090N06SL

HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.6 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 10.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.9 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.2. Size:926K  cn hunteck
hgb098n10a hgp098n10a.pdfpdf_icon

HGB090N06SL

HGB098N10A , P-1 HGP098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching RDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in

 9.3. Size:924K  cn hunteck
hgb098n10al hgp098n10al.pdfpdf_icon

HGB090N06SL

, P-1 HGB098N10AL HGP098N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 11.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 68 A ID (Sil

Другие MOSFET... HGB080N10A , HGP080N10A , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M , HGP082N10M , HGB088N15S , HGP088N15S , IRFP064N , HGP090N06SL , HGB095NE4SL , HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL , HGP098N10AL , HGB100N12S .

History: HGB170N10AL

 

 
Back to Top

 


 
.